Reference number
ISO 17560:2014
© ISO 2024
International Standard
ISO 17560:2014
Surface chemical analysis — Secondary-ion mass spectrometry — Method for depth profiling of boron in silicon
Edition 2
2014-09
Preview
недоступно на русском языке
Опубликовано (Версия 2, 2014)
Последний раз этот публикация был пересмотрен в  2020. Поэтому данная версия остается актуальной.

ISO 17560:2014

Язык
Формат
CHF 63
Пересчитать швейцарские франки (CHF) в ваша валюта

Тезис

ISO 17560:2014 specifies a secondary-ion mass spectrometric method using magnetic-sector or quadrupole mass spectrometers for depth profiling of boron in silicon, and using stylus profilometry or optical interferometry for depth scale calibration. This method is applicable to single-crystal, poly-crystal, or amorphous silicon specimens with boron atomic concentrations between 1 × 1016 atoms/cm3 and 1 × 1020 atoms/cm3, and to crater depths of 50 nm or deeper.

Общая информация

  • Текущий статус
     : Опубликовано
    Дата публикации
     : 2014-09
    Этап
    : Подтверждение действия международного стандарта [90.93]
  • Версия
     : 2
  • Технический комитет :
    ISO/TC 201/SC 6
    ICS :
    71.040.40 
  • RSS обновления

Жизненный цикл

Цели в области устойчивого развития

Данный стандарт разработан для достижения следующих Цели в области устойчивого развития

7
Недорогостоящая и чистая энергия
9
Индустриализация, инновации и инфраструктура

Появились вопросы?

Ознакомьтесь с FAQ

  2. Интернет-магазин
  3. Каталог стандартов
  4. МКС
  5. 71
  6. 71.040
  7. 71.040.40
  8. ISO 17560:2014