ISO 14701:2018
2018-11
Тезис
This document specifies several methods for measuring the oxide thickness at the surfaces of (100) and (111) silicon wafers as an equivalent thickness of silicon dioxide when measured using X-ray photoelectron spectroscopy. It is only applicable to flat, polished samples and for instruments that incorporate an Al or Mg X-ray source, a sample stage that permits defined photoelectron emission angles and a spectrometer with an input lens that can be restricted to less than a 6° cone semi-angle. For thermal oxides in the range 1 nm to 8 nm thickness, using the best method described in this document, uncertainties, at a 95 % confidence level, could typically be around 2 % and around 1 % at optimum. A simpler method is also given with slightly poorer, but often adequate, uncertainties.
Общая информация
-
Текущий статус: ОпубликованоДата публикации: 2018-11Этап: Рассылка краткого отчета о пересмотре [90.60]
-
Версия: 2
-
Технический комитет :ISO/TC 201/SC 7ICS :71.040.40
- RSS обновления
Жизненный цикл
-
Ранее
ОтозваноISO 14701:2011
-
Сейчас
ОпубликованоISO 14701:2018
Стандарт, который пересматривается каждые 5 лет
Этап: 90.60 (Hа стадии пересмотра)-
00
Предварительная стадия
-
10
Стадия, связанная с внесением предложения
-
20
Подготовительная стадия
-
30
Стадия, связанная с подготовкой проекта комитета
-
40
Стадия, связанная с рассмотрением проекта международного стандарта
-
50
Стадия, на которой осуществляется принятие стандарта
-
60
Стадия, на которой осуществляется публикация
-
90
Стадия пересмотра
-
95
Стадия, на которой осуществляется отмена стандарта
-
00
